Intel在去年的12月的2020存储日上一口气推出了六款存储新品，当中就包括了最新的消费级产品SSD 670p，目前这款产品已经上架预售了，与此前市场上销售的660p相比，依然使用3D QLC闪存，但堆叠层数从64层增加到了144层，并且更换了新的主控带来了更强的性能，其实在660p之后还有个采用96层堆叠3D QLC的665p，但它已经早早停产为670p让路了。
Intel SSD 670p依然采用PCI-E 3.0 x4接口，有512GB、1TB和2TB三个容量，它优化了主控、固件与缓存算法，与660p相比性能和耐久度都有所提升，而且有更低的功耗，针对低队列深度和混合读写进行了调整，可满足常见应用常见的存储需求，包括办公和主流游戏。
Intel的3D QLC闪存已经发展到第四代，采用144层堆叠，存密度比较上代提升了50%
上图是未来几年SSD的发展预期，其实到了2020年SATA SSD的市场出货占比已经相当少了，到了2021年之后只会占市场的极少一部分，随着今年Intel平台全面支持PCI-E 4.0，SSD也会开始加速升级至PCI-E 4.0，到2023年将会占出货的大头。
在消费级市场上，SATA SSD与HDD的市场份额会逐渐被入门级PCI-E SSD所占据，128/256GB等小容量SSD出货量将逐渐减少，而512GB的会在很长一段时间内占据半数市场，而1TB/2TB这种大容量产品市场占有率会逐渐增多，而QLC闪存会在此扮演重要角色。
Intel SSD 670p三个容量都采用单面设计，连续读写速度是3500/2700 MB/s，较660p相比差不多翻了一倍，4K QD1的随机读写IOPS是20K/54K，而最大随机读写IOPS则是310K/340K，质保期5年，写入耐久度是每512GB 185TBW。
Intel SSD 670p采用改良过的动态SLC Cache，容量会比660p系列增加11%，它们的最大SLC Cache分别是70GB、140GB和280GB，最小则是6GB、12GB和24GB。
Intel这次非常强调低队列深度的性能，其实我也很赞同这点，因为日常大部分应用都在QD1-3的范围内的，基本不会超过QD4，而目前大部分SSD厂家在宣传时只会标识产品的最大IOPS，然而这最大IOPS基本上只能在高队列深度情况下跑出来，日常基本上跑不到那种队列深度，其实连续读写也会有这种状况。
Intel对比了自家的660p与其他厂家的两款QLC产品与一款TLC产品，在QD1下不论连续读写还是4K随机读写都比660p有很大提升，与同类产品相比也相当之有竞争力。
此外SSD的混合读写性能也是很重要的，许多应用负载时都是在60%/40% 读/写到80%/20% 读/写这个区间内，从上图给出的官方测试数据来看Intel SSD 670p在混合读写负载下依然相当有竞争力。
Intel SSD 670p的PCMark 10存储基准测试得分甚至比对比的TLC SSD更高，访问延迟也是这五款SSD里面最低的，比660p降低了22%的延迟。目前Intel SSD 670p已经在京东上开启预售，512GB的卖479元，1TB的卖799元，2TB卖1779元，3月10日开始发货。
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