美光宣布使用新型1α制造工艺生产的DRAM开始批量出货，这是目前世界上最先进的DRAM制造技术。1α制造工艺最初会用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上，随着时间的推移，未来将用于所有类型的DRAM，有望显着降低DRAM成本。
到目前为止，美光已将其DRAM生产的很大一部分转移到了1Z nm节点，该节点既提供高位密度（较低的单位成本）又提供高性能。美光表示，从利润率和产品组合角度来说，现在的感觉相当好。美光的1α制造工艺预计将比1Z（成熟的成品率）将内存密度提高40％，这将相应降低生产者的单位成本。
此外，该技术的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α制造工艺其中很重要的一点是，印证了仅靠光刻技术的改进，不足以使DRAM制造成本降低。像上一代产品一样，美光的1α节点继续使用6F2位线设计。
与行业内很多企业不同，美光不打算在短期内使用EUV光刻技术来生产存储芯片。美光接下来的三个DRAM工艺节点将继续使用深紫外线（DUV）光刻技术，不过会不断进行评估，时机成熟的时候会适当引入。
即使没有EUV光刻技术，美光也承诺在下一代存储设备中提高性能和功耗，尽管难度越来越大。
1α制造工艺首先会在中国台湾的桃园和台中的工厂中使用，最先出货的是面向超算市场的DDR4内存以及英睿达 (Crucial) 消费级DRAM产品。美光同时也已开始向移动客户提供LPDDR4样片进行验证，将在2021年内推出基于该技术的更多新产品。
